コア問題
| 業務分類 | 大項目 | 小項目 | サンプル問題 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 設計 | デバイス | SiCの結晶多形 | MOSFET同期整流 | SiCの寄生容量 | |
| ホットエレクトロン | 基本材料特性（伝導特性） | 耐圧設計、特性オン抵抗 | |||
| NBTI | |||||
| 電力用ダイオード | ショットキーバリアダイオード | リバースリカバリー特性 （PiNダイオード） |
ショットキーダイオード （PDEA／解説付き） |
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| パワーMOSFET | 特性オン抵抗 | MOS、dVD/dt耐性 | パワーMOSFETの特性オン抵抗（日経リンク／解説付き） | ||
| しきい値電圧 | MOSFETのしきい値電圧 （日経リンク／解説付き） |
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| しきい値電圧 （フラットバンド電圧） |
MOSFETのしきい値電圧 （日経リンク／解説付き） |
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| パワーMOSFETのゲートプラトー電圧（日経リンク／解説付き） | |||||
| IGBT | IGBTの静特性評価 | IGBT（対称型導通損失） | IGBT（非対称型導通損失） | IGBT（PDEA／解説付き） | |
| ノンパンチスルー（IGBT） | パンチスルー（IGBT） | ||||
| リーク電流 （対称型IGBT） |
リーク電流 （非対称型IGBT） |
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| IGBTのRBSOA | IGBTラッチアップ対策 | MOSFET | |||
| RESURF | 伝導度変調（IGBT） | ||||
| ターンオフ波形 （対称型IGBT） |
ターンオフ波形 （非対称型IGBT） |
ターンオン波形 （IGBT) |
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| パワーモジュール | SiとSiCのハイブリッドパワーモジュール | 表皮効果による抵抗値上昇 | パワーサイクル試験 | ||
| IGBTモジュールの損失 | IGBTのサージ電圧 | ||||
| 昇圧・降圧回路 | 昇圧チョッパ回路 | ||||
| 製造 | ウェーハ製造 | 低オン抵抗化 | 薄ウエハ | トレンチゲート構造 | |
| SJ構造 | 高耐圧化 | 高速化 | |||
| 高集積化 | べベル | ガードリング | |||
| フィールドプレート | 二重拡散 | ウエハ | |||
| FZ基板（FZウエハ） | CZ基板 | 厚膜エピ | パワーデバイス用基板ウエハ（PDEA／解説付き） | ||
| 薄ウエハプロセス | トレードオフ関係 | 耐圧 | |||
| オン抵抗 | スイッチング損失 | オン電圧 | |||
| 立下り時間 | デバイス断面構造 | ライフタイムコントロール | |||
| チップ製造 | ダイシング | ダイボンディング | ワイヤディング | ||
| 高電流密度化 | ボンディング | 終端構造 | |||
| SJ-MOSFET | HVIC | SJ構造 | |||
| 終端構造 | IGBT構造、製造プロセス | IGBTの大容量化 | |||
| HVIC | パワーIC | ||||
| モジュール製造 | ダイシング | ダイボンディング | ワイヤボンディング | ||
| テスト | チップテスト | ウエハ状態 | TEG | チップテスト、オン抵抗 | |
| デバイステスト | C-V測定 | 温度係数 | 自己発熱 | ||
| ターンオン／オフ時間 | 立上り／立下り時間 | 逆回復時間 | |||
| ブレークダウン | 負荷短絡耐量 | ゲート酸化膜リーク電流 | |||
| PN接合耐圧、PN接合リーク電流 | スイッチング損失測定、コモンモードチョーク | サージ電圧 | PN接合リーク （PDEA／解説付き） |
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| 絶縁耐圧、素子耐圧、飽和電圧 | サージ電圧 | 動作時の飽和電圧測定 | |||
| モジュールテスト | 最終製品状態 | IGBTモジュール、並列接続、電流アンバランス | |||
| 測定器 | 信号源、測定器 | オシロスコープ | 電流／電圧プローブ | ||
| アプリ対応 | 電源 | DC-DCコンバータの形名 | DC-DCコンバータの出力電圧とスイッチ電圧 | DC-DCコンバータの用途 | DC-DCコンバータの型名 （PDEA／解説なし） |
| スイッチの耐圧 | 高周波化 | スイッチング電源の特徴 | |||
| スナバー | ハードスイッチングとソフトスイッチング | 降圧形コンバータ | |||
| 整流回路と力率改善 (Power Factor Correction ) 回路 | 電圧共振フライバック形コンバータ | 電流共振形コンバータ | |||
| 同期整流回路 | |||||
| デバイス対応 | GaN(窒化ガリウム)パワーデバイス | ショットキーバリアダイオードの特性 | スイッチ（MOSFET）の損失 | ||
| パワーMOSFETの容量 | |||||
| 信頼性対応 | 放熱対策 | 摩耗不良 | 修正コフィン・マンソンモデル | ||
| パワーサイクル試験 | |||||
| 品質保証／統計 | 熱設計 | 放熱設計 | Tj | Tjmax | |
| Ta | 熱抵抗 | ヒートシンク | |||
| 過渡熱抵抗 | ディレーティング | ||||
| 品質管理 | ロット履歴 | トレーサビリティ | シミュレーション | パワーデバイス品質保証 （PDEA／解説なし） |
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| スクリーニング | X-R管理図 | ||||
| 信頼性 | 故障モード | CDM（デバイス耐電モデル） | ラッチアップ現象 | 破壊モード、アバランシェブレークダウン | |
| 破壊モード、逆接続 | 短絡耐量 | 貫通電流 | |||
| 加速モデル | 修正コフィン・マンソンモデル | TDDB、Bモード | |||
| 信頼性試験 | パワーサイクル試験 | パワーサイクル試験 （PDEA／解説なし） |
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